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Si7388DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.020
0.016
0.012
V GS = 4.5 V
25 °C, unless otherwise noted
2500
2000
1500
C iss
0.008
V GS = 10 V
1000
C oss
0.004
0.000
500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 16 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 16 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
7
14
21
28
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.04
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 16 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71919
S-80438-Rev. E, 03-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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